當華夏網友和各路友商被南山系大手筆的各種新工廠建設方案給吸引的時候，南山化學那邊迎來了一個重要突破。
“曹總，我們的EUV光刻膠已經成功的研發出來了，最快下個月就能進入到量產。”
賴遠鴻心情很是不錯的來到了曹陽的辦公室，親自彙報了南山化學的重要突破。
馬上就要過春節了，南山半導體那邊還在擔心過完年還有沒有光刻膠供自己使用呢。
現在南山化學順利的把EUV光刻膠給搞定了，再加上過往已經突破的其他種類光刻膠，可以說困擾南山半導體的光刻膠問題，已經徹底的解決了。
下一步就不僅僅是滿足自己的光刻膠需求，而是要考慮把它推廣到華夏所有的半導體企業進行使用。
美利堅和東瀛的光刻膠企業的好日子，要徹底的一去不復返了。
“我們自己的光刻膠的效能跟JSR等公司的同型別產品進行了對比沒有？”
雖然曹陽對自己親自參與研究的EUV光刻膠的效能很有信心，但是具體的測試工作還是賴遠鴻他們在主導。
所以肯定也還是要問清楚一下的。
免得到時候南山半導體使用的過程當中出現一些問題的話，損失就非常的巨大了。
“我們的靈敏度稍微比JSR的低一些，但是對比度比它們的要高。”
“抗刻蝕比方面跟它們的基本上是一個水平，曝光寬容度也是基本相當，但是還有提升空間。”
賴遠鴻一下就把主要的幾個效能指標的情況給介紹了一下。
靈敏度是衡量曝光速度的指標。
光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。
南山化學生產的EUV光刻膠的靈敏度雖然略低於JSR，但是不影響使用，無非就是要多消耗一點光刻膠而已。
而對比度直接影響到膠的分辨能力。
光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度，對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。
南山化學在這方面的效能，顯然是很不錯的。
至於抗刻蝕比，這一效能通常是以刻蝕膠的速度與刻蝕襯底材料的速度之比來表示的，又稱之為選擇比。
舉個例子，如果某一光刻膠與矽的抗刻蝕比為10，這表明當刻蝕矽的速度為1μm/min時，光刻膠的刻蝕速度只有100nm/min。
抗刻蝕比的高低也決定了需要多厚的膠層才能實現對襯底一定深度的刻蝕。
而曝光寬容度，南山化學一上來就能做到跟JSR差不多的水平，也是非常不容易的。
這個指標有什麼意義呢？
光刻時使用的曝光劑量偏離了最佳曝光劑量，仍能獲得較好的圖形，說明這款光刻膠具有較大的曝光寬容度。
正常情況下，光刻膠擁有一個最佳的曝光劑量，在光刻時，應該使整個晶圓包表面的曝光劑量一致，且儘可能接近最佳曝光劑量。
但是實際生產過程中，由於受外界環境的影響必然會有劑量的偏差。
曝光寬容度大的膠受曝光能量浮動或不均勻的影響較小，更適合生產需求。
所以這個指標好，對於南山半導體來說是很有意義的。
要不然你的光刻膠對工藝的要求很高的話，就會導致良品率變低，生產成本變高。
“這麼說來，我們的EUV光刻膠生產出來之後，立馬就可以開始取代JSR等廠家的同類產品了？”
這個問題是曹陽最關注的問題。
畢竟作為老闆，肯定是要看重結果的。
在結果好的情況下，再去關注過程。
否則的話沒有好結果，什麼都是沒有意義的。
“是的，其他的指標，不管是熱流動性還是膨脹效能，還是粘度和保質期都是不比人家要差。”
“到時候我們可以形成全系列的晶片生產用光刻膠的生產，讓進口光刻膠慢慢的退出華夏市場。”
“下一步甚至還可以進一步的開發液晶顯示屏用光刻膠等其他型別的光刻膠，讓我們的生產線的產能可以充分的利用起來。”