七個人挨個聊了一遍，最後倉耀祖找上了傑克袁，他主要是要交代傑克袁一些事，倉耀祖希望傑克袁聯絡一下加州大學伯克利分校的胡正明教授。
胡正明被半導體行業譽為“FinFET之父”，倉耀祖找上他，正是要委託他研究一下FinFET技術，目標是解決25奈米之後半導體器件的微細化問題，這個技術的專利倉耀祖必須拿在手裡，FinFET技術的細節倉耀祖會整理出一個文件交給胡正明教授，想必這項技術的研發就不會拖那麼久了，今年就應該能搞定。
倉耀祖還想以這個研發專案為由，讓胡正明教授去燕都一段時間，倉耀祖希望能把胡正明老爺子請去清微半導體擔任技術負責人。
胡正明教授前幾年還是清大的榮譽教授，倉耀祖希望這次把合作夯實再夯實，把合作深入下去，而不是浮於表面。要知道挖到胡正明教授，不止在技術上好處多多，倉耀祖非常想挖的一個人就是胡教授的關門弟子梁孟松。
梁孟松是灣灣人，研發實力超強，號稱半導體行業的呂布，之所以叫呂布，自然是因為他多次叛門跳槽，臺積電、三星、華芯國際都留下了他的傳說。
現在的梁孟松在臺積電並沒有那麼醒目，還沒出什麼成績，把他挖到清微半導體或者山腰科技都是不錯的選擇，反正留給臺積電或者三星可就是嚴重資敵了，那可就十分不好了，倉耀祖可不想給自己增加難度。人情、金錢、股份齊上，不惜代價也要拿下他啊。
除了胡正明教授這個FinFET之父外，倉耀祖想要挖的還有兩個人，一個是華夏刻蝕機之父尹志堯，一個就是林本堅。
刻蝕機不說了，雖然沒有光刻機重要，但也是半導體行業不可或缺的重要裝置。光刻機、刻蝕機和薄膜沉積裝置是晶片製造過程中的三大核心裝置，如果把晶片比作一幅平面雕刻作品，那麼光刻機是打草稿的畫筆，刻蝕機是雕刻刀，沉積的薄膜則是構成作品的材料。
光刻的精度直接決定了元器件刻畫的尺寸，刻蝕和薄膜沉積的精度則決定了光刻的尺寸能否實際加工，因此光刻、刻蝕和薄膜沉積裝置是晶片加工過程中最重要的三類主裝置。
那一世，直到2004年尹志堯才回國建立了中微半導體，這一世，倉耀祖希望提前促成這件事情，嗯，缺人挖人，缺錢投錢，砸也砸出一個刻蝕機頭部企業。
而林本堅，他就是那一世臺積電如廝強橫的一大保證了，倉耀祖教給清微半導體的浸入式光刻技術就是林本堅提出並堅持推動的結果。
其實浸入式光刻技術在1984年就由日本人Takanashi在一項美國專利中提出了，他定義了浸入式光刻機最基本的結構特徵，即在最後一級物鏡與光刻膠之間充入一層透明的液體。
發明專利的時效只有20年，只可惜這項專利誕生的“過早”，前世真正意義上的浸入式光刻要在若干年後才會出現，Takanashi也因此與鉅額專利費擦肩而過。
但這一世呢，倉耀祖已經讓葛慄琴的律師事務所買斷了這個專利，雖然專利時效只有不到8年了，但8年時間也足夠了。
現在的浸入式光刻之所以不被重視，是因為人們找不到好的浸入液，比如浸入液是環辛烷的話。浸入液的充入、鏡頭的沾汙、光刻膠的穩定性和氣泡的傷害等關鍵問題很難解決，因此，人們對浸入式光刻並沒有什麼深入的研究。
現在的主流技術是乾式光刻，無論是尼康、佳能還是阿斯麥都是如此。如果能找到好的浸入液，那麼，在高階光刻領域，浸沒式光刻就是幹法光刻的完美替代技術，而新舊技術的替代帶來的就是光刻機的完全壟斷。
林本堅在2002年後提出了以折射率為1.44的去離子水為浸入液的方案，比較完美地解決了浸入式光刻的其它問題，此舉徹底改變了光刻行業以及整個半導體行業。這是一項很偉大的改進，可以說，打敗尼康光刻機和佳能光刻機的就是這簡單而又神奇的去離子水。
什麼是去離子水呢，就是去除了離子的水。因為水是一種萬能的溶劑，在自然界的水中會溶解有很多種類的鹽類，而這些鹽類在水中均有一定程度的電離現象，從而產生很多種類的陰陽離子。所以，溶解了鹽類物質的水是可以導電的，這不利於光刻的進行。
那去離子水就不導電了嗎？當然還是導電的，只不過去離子水的導電能力就很弱了，是介於導電體和絕緣體之間的半導體。
林本堅生於1942年，祖籍潮汕，長於西貢，求學於灣灣，就職於IBM22年，1992年他50歲時提前退休，現在建立了領創公司。
倉耀祖準備這兩天就親自去見見林本堅先生，並收購他的領創公司，為邀請他加盟清微半導體掃清障礙，鋪平道路。
倉耀祖盯上灣灣那邊的半導體人才也是沒辦法的事情，主要是國內這方面的人才培養出現了斷層，確實是沒有什麼能獨當一面的人物，因為實在是沒有這個成長環境啊。